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モデル

メーカーの性質: 生産者

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原産地

オンラインコンサルティング

概要

当社は一部の空乏型金シリコン面障壁半導体検出器を生産して、Aシリーズは高エネルギー分解能、窓が薄いなどの特徴を持って、エネルギースペクトルに対する要求が高い場合、例えばアルゴントリウム分析器などに適用して、BシリーズはAシリーズの窓の前に保護層をめっきして、壊れやすい、窓が拭けないなどの欠点を克服してエネルギー分解能に対する要求が高くなくて、放射性強度測定の検出器として適用します。

製品詳細

金シリコン面障壁型半導体検出器

概要

当社は一部の空乏型金シリコン面障壁半導体検出器を生産し、A シリーズは高エネルギー分解能、窓が薄いなどの特徴があり、エネルギースペクトルに対する要求が高い場合、例えばアルゴントリウム分析器など、B シリーズ A シリーズの窓の前に保護層をめっきし、損傷しやすい、窓が擦れないなどの欠点を克服し、エネルギー分解能に対する要求が高くなく、放射性強度測定の検出器として適している。

技術仕様

モデル	動作電圧	ディプレッション領域の厚さミクロメートル	対比オルテック U-016-300-100型探査機（Am-241面源）真空下でエネルギー分解能を測定する1.2	対比オルテック U-016-300-100型探査機（Am-241面源）真空下測定ピークパスアドレス202
A-AS20	5〜300VDC	より大きい 1000	0.7~1.4	204~206
A-AS26 型	5〜300VDC	より大きい 1000	0.7~1.4	204~206
B-AS20 型	5〜300VDC	より大きい 1000	4.0~4.9	189-191
B-AS26 型	5〜300VDC	より大きい 1000	4.2~4.9	189-191

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