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メール
billion.xiao@glb-et.com
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電話番号
18573116298
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アドレス
湖南省長沙市天心区城南路街道芙蓉路と城南路の交差点北西角905房
製品分類
湖南グレイバー電子技術有限公司
概要
ES 660静電放電とラッチ試験システムは、現代の半導体試験の厳しい要件を満たすための多針自動試験装置である。この多機能デバイスは、人体モデル（HBM）、機械モデル（MM）、ラッチテストをシームレスにサポートすることを目的としており、集積回路（IC）と電子部品の信頼性とロバスト性を評価するための包括的なソリューションを提供しています。ES 660-P 1構成は最大1280個のピンをサポートし、大量の接続を持つ複雑なICと電子部品のテストに最適です。これにより、テスト時間が短縮され、生産性が向上します。
製品詳細
ES 660静電放電及びラッチ試験システム
1. 記述
ES 660シリーズ静電放電とラッチ（LU）試験システムは、現代の半導体試験の厳しい要件を満たすための多針自動試験装置である。この多機能デバイスは、人体モデル（HBM）、機械モデル（MM）、ラッチテストをシームレスにサポートすることを目的としており、集積回路（IC）と電子部品の信頼性とロバスト性を評価するための包括的なソリューションを提供しています。ES 660はES 612 Aシリーズのアップグレード版であり、より高い構成オプションがあります。
ES 660-P 1構成は最大1280個のピンをサポートし、大量の接続を持つ複雑なICと電子部品のテストに最適です。その高ピン数容量により、大規模なデバイスを正確かつ効率的に評価することができ、テスト時間を短縮し、生産性を向上させることができます。
より高いピン数が必要な場合は、ES 660-P 1構成をES 660-P 2（最大2560ピン）にアップグレードできます。
2. 特徴
複数のテスト方法と標準に対応
柔軟なバイアスとピン数の設定能力の高さ
自動テスト効率
優れた制御と監視機能
リークおよびDCスキャン
データ分析
マルチディスチャージヘッド、ソフトウェア自動切り替え
3. アプリ
半導体装置ESD試験
HBMモジュールはANSI/ESDA/JEDEC JS-001、MIL-STD-883 E、AEC Q 100-002に準拠している
MMモジュールはANSI/ESDA SP 5.2準拠
ラッチテストはJEDEC JESD 78に準拠している
過渡ラッチはANSI/ESD SP 5.4.1準拠
4. 仕様
ES 660ベースユニット
| パラメータ | ES660 の | 単位 | 備考 |
| タッチスクリーン | 5 | インチ | |
| サイズ | 480 x 497.5 x 265 | mm | |
| 重量 | 28 | キログラム | 完全なインストール |
| ESD 和 LU 波形 | オプションの受動電圧および電流プローブ | ||
| サポートされているオシロスコープ | Keysight、Tektronix、LeCroy、Rigolの主流モデル | カスタマイズ可能 | |
| サポートされるSMU | Keysight、Tektronix、LeCroy、Rigolの主流モデル | カスタマイズ可能 | |
| サポートされる電源装置 | Keysight、Tektronix、LeCroy、Rigolの主流モデル | カスタマイズ可能 |
HBMマネキンオプション
（ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
| パラメータ | ES660-P1-HBM8型 | ES660-P1-HBM10 | 単位 | 備考 |
| 出力電圧 | ±10～8000 | ±10～10000 | V | |
| 放電RC値 | C: 100 pF ± 10%、R: 1.5kΩ ± 1% | |||
| 短絡ふかピークでんりゅう私はPS | 0.67±10%kVあたり | A | ||
| 短絡負荷上昇時間Trs | 2 < trs< 10 | ns | ||
| 短絡ふかげんすいじかんTDS | 130 < tDS< 170 | ns | ||
| 短絡リンギングtrs | < IPSの15% | |||
| 500Ωふかピーク電流私はpr | 私はpr／IPS≥ 63% | |||
| 500Ω負荷上昇時間TRR | 5 < tRR< 25 | ns | ||
| 最速パルス速度 | 10 | 個/秒 | ||
| 同時パルス数 | >=8 | 512ピン以上 | ||
MMモデルオプション
（ANSI/ESD SP5.2）
| パラメータ | ES660-P1-MM2型 | ES660-P1-MM4 | 単位 | 備考 |
| 出力電圧 | ±10 ~ 2000 | ±10 ~ 4000 | V | |
| 放電RC値 | C: 200 pF、R: 0Ω | |||
| 短絡ふかピーク電流私はp1 | 1.75±10%100 V毎 | |||
| 短絡ふか私はp2 | 私はp1の67～90% | |||
| 短絡ふかパルスしゅうきT午後 | 66 < t午後< 90 | |||
| 500Ω負荷ピーク電流私はpr | 0.85 – 1.2 | @400 V条件適合基準 | ||
| 500Ωふか私は100 | 0.23 – 0.4 | @400 V条件適合基準 | ||
| 最速パルス速度 | 10 | 個/秒 | ||
| 同時パルス数 | >=8 | 512ピン以上 | ||
DC&ラッチオプション
（JEDEC JESD78F.01）
| パラメータ | ES660-P1-LU | 備考 |
| 前処理ベクトル | 20 MHz以上、256 K深さ | 外部設定 |
| V/I 4せんケルビンそくてい | はい | |
| DUT V/Iバス電源 | 3+1、5+1、7+1 | DCソースの外部拡張をサポート |
| LU波形捕捉 | はい | |
| マトリックスDC電圧 | 200V | |
| SSR マトリックスDC電圧（V） | 100V | |
| ピン本DC電流 | 2A | |
| DCチャネル電流 | 15A | |
| デフォルトのラッチソース電圧 | >= 150V | 限流1.2 A |
| デフォルトラッチ源電流 | >= 10A | 電圧6 V |
TLU過渡ラッチオプション
（ANSI/ESD SP5.4.1）
計画ラッチ過渡パルスソースのハードウェアサポート：
ES622 （TLP/ VF–TLP)EOS-500（EOS）,LVS-500 （LVS),MM
5. 注文情報
| 番号 | モデル | 記述 |
| 基本セルのオプション | ||
| 1.1 | ES660-P1-BU | リレーベースHBM/MM/LU ATEシステム基礎ユニット |
| 1.2 | ES660-P1-HBM8型 | HBMモデル試験オプション、電圧8 kV |
| 1.3 | ES660-P1-HBM10 | HBMモデル試験オプション、電圧10 kV（停止） |
| 1.4 | ES660-P1-MM2型 | MMモデル試験オプション、電圧2 kV |
| 1.5 | ES660-P1-MM4 | MMモデル試験オプション、電圧4 kV（停止） |
| 1.6 | ES660-P1-LU | ラッチテストオプション（ソフトウェア） |
| 1.7 | ES660-P1-TLU型 | 過渡ラッチテストオプション（ソフトウェア-TLP，EOS） |
| 1.8 | ES660-TFM型 | 温度制御モジュール |
| リレーカード及びDCバイアス選択型 | ||
| 2.1 | ES660-P1-R64B4型 | 拡張リレーカード、64ピン、3+1オフセット |
| 2.2 | ES660-P1-R64B6型 | 拡張リレーカード、64ピン、5+1オフセット |
| 2.3 | ES660-P1-R64B8型 | 拡張リレーカード、64ピン、7+1オフセット |
| 直流、漏電和ラッチパルスソースオプション | ||
| 3.1 | ES660-PSMU2型 | 漏電\ DC \ LUソース：デュアルチャネルパルスSMU（210 V/1.5 A） |
| 3.2 | ES660-SMU1型 | 漏電\直流源：シングルチャネルSMU（200 V/1 A） |
| 3.3 | ES660-PSU1 | 直流電源：フレキシブルチャネルPSU（32 V/3 A X 2 Ch+6 V/5 A X 1 Chまたは70 V/3 A X 1 Ch、または32 V/6 A X 1 Ch+6 V/5 A X 1 Ch） |
| 3.4 | ES660-PSU2 | 直流電源：3チャネルPSU（60 V/3 AX 2 Ch+5 V/3 AX 1 Ch、または125 V/3 AX 1 Ch） |
| 3.5 | ES660-PSU3 | 直流電源：高電流PSU（20 V/20 AX 1 Ch） |
| 3.6 | ES660-PSU4 | 直流電源：高電流PSU（30 V/25 AX 1 Ch） |
| 3.7 | ES660-PSU5 | 直流電源：3チャネルPSU（30 V/6 AX 2 Ch、5 V/3 AX 1 Ch、または60 V/6 AX 1 Ch） |
| 3.8 | ES660-PSU7 | 直流電源：デュアルレンジPSU（100 V/1 A、または30 V/5 A） |
| 3.9 | ES660-PSU-MC1型 | マルチチャネルPSU：メインフレーム、バンドオシロスコープ |
| 3.10 | ES660-PSUC1 | マルチチャネルPSU：50 V、5 A、50 Wモジュール |
| 3.11 | ES660-PSUC2 | マルチチャネルPSU：50 V、10 A、100 Wモジュール |
| 3.12 | ES660-PSUC3 | マルチチャネルPSU：60 V、5 A、300 Wモジュール |
| 3.13 | ES660-PSUC4 | マルチチャネルPSU：100 V、1 A、100 Wモジュール |
| 3.14 | ES660-PSUC5 | マルチチャネルPSU：100 V、3 A、300 Wモジュール |
| 3.15 | ES660-PSUC6 | マルチチャネルPSU：150 V、2 A、300 Wモジュール |
| ソケットオプションのテスト | ||
| 4.1 | ES660-P1-DS512型 | DUTソケットPCB 512ピン |
| 4.2 | ES660-P1-DS1024 | DUTソケットPCB 1024ピン |
| 4.3 | ES660-P1-DSC1 | DUTソケットPCBカスタムピン数 |
| オシロスコープオプション | ||
| 5.1 | MISC-OSC350型 | デジタルオシロスコープ（350 MHz、4チャネル） |
| 5.2 | ミスク-OSC1 | デジタルオシロスコープ (1 GHz, 5 GS/s, 4 Ch) |
| 5.3 | CT-T03-1p0型 | 広帯域電流プローブ、1 V/A、2 kHz-2 GHz |
メモ：マザーボード、マトリックスカード、波形ボード、およびセルフチェック診断ボードはデバイスの標準構成に属しているため、注文情報には反映されません。
