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湖南グレイバー電子技術有限公司
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TLP伝送路パルス試験システム見積

ネゴシエーション可能更新01/21
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概要

TLP伝送路パルス試験システムは、TLP、vf-TLP、HMM、HBM、EFT、低圧サージなどの静電放電パルスイベントをシミュレートするための携帯型パルスIV-曲線特性特性評価システムである。システムはパルス期間のピコ秒またはナノ秒レベルの過渡電圧と電流波形を検出し、パルスの前、後の被測定デバイスの状態(リーク電流、破壊電圧、バイアス電流、静的IV曲線など)をテストし、測定可能なDUTは静電気防護デバイス、半導体、回路モジュール、タッチパネルセンサーなどを含む。

製品詳細

システムの伝送路パルス(TLP)試験と分析機能はANSI/ESD STM 5.5.1-2014試験標準に符合する。ES 620システムは、デバイスを流れる電流とデバイスの両端電圧を記録しながら、デバイスに高品質の矩形波パルスを注入することができる。試験結果は、ユーザがナノ秒レベルでのデバイスの過渡応答を特徴づけることができるように、パルスIV曲線を提供することができる。システムはまた、漏れ電流試験、静的IV曲線、溶断、火花放電などのデバイス故障自動化検出方法を有する。

超高速TLP(vf-TLP)試験と分析機能はANSI/ESD SP 5.5.2-2007試験標準に適合する。vf−TLP試験はCDM速度の静電放電をシミュレーションし、高速(約100 ps立ち上がりエッジ)状態におけるデバイスの電流と電圧を捕捉するために用いられる。ユーザはこの方法でデバイスの応答速度とピーク電圧をテストすることができる。

人体金属モデル(HMM)の試験と分析機能はANSI/ESD SP 5.6-2009試験方法に符合し、この方法はIEC 61000-4-2中のシステムレベルESD試験方法に取って代わることができ、ICを試験する。低インピーダンスデバイスまたはウエハを試験する時、システムのこの試験機能はIEC 61000-4-2標準に符合する理想的な波形を提供することができ、そして多くの静電放電銃試験時に発生する可能性のある問題、例えば再現性が悪い、放電位置が間違っている、非遮蔽リレーによるEMI相互作用、大接地平板と結合板を設置する必要がある。

システムには完全なソフトウェア制御があり、立ち上がり時間とパルス幅をカスタマイズでき、IVI機器と良好な互換性があり、体積が小さい。

TLP伝送路パルス試験システム特徴:

柔軟なTLP IV曲線パルス試験解析システムの構成

ウルトラポータブル設計

超高速テスト速度、プログラム並列処理

現在のテストバージョンは25 A、50 A、100 Aモジュール

高品質TLPパルス

拡張可能な試験モジュールには、vf-TLP、HMM、HBM、および低圧サージが含まれます

自動障害検出方法としては、DCサンプリング(電圧または電流)、静的IV、溶融、破壊、バイアスソース変動、顧客カスタム

ソフトウェア制御のパルス注入:単回、連続、IV-曲線特性化

立ち上がりエッジオプション:モジュールに応じて60 ps~50 ns

パルス幅オプション:1 ns~3200 ns(モジュールに依存)

TLP伝送路パルス試験システム適用:

ウェハレベルESDテスト

PCB/パッケージレベルESDテスト

システム/回路ESDテスト

セキュリティワークスペース(SOA)テスト

充電回復時間試験

差分ESDパルス注入

タッチスクリーンITOマイクロストリップワイヤ溶断試験

タッチパネルITOマイクロストリップワイヤ火花放電試験

TLP注入電流パルス符号合成がANSI/ESD STM 5.5.1-2008規格を超える

vf-TLP注入電流パルス符号合成がANSI/ESD SP 5.5.2-2007規格を超える

低インピーダンス素子では、HMMの注入電流パルスはIEC 61000-4-2波形と一致する

仕様:

ES 620伝送路パルスに基づくIV−曲線試験システム

パラメトリック

ES620-25型

ES620-50型

ES620-100型

単位

備考

オープン出力電圧

±0.5~1250

±0.5~2500

±0.5~5000

V


50№負荷時、出力電圧

±0.25–625

±0.5~1250

±0.5~2500

V


50№負荷時、小電圧ステップ低電圧–40 V

0.01

0.01

0.02

V

バンド46 dB反射抑制

50№負荷時、小電圧ステップ長40 Vから高電圧

0.1

0.1

0.2

V

バンド6 dB反射抑制

出力電圧誤差

<5%<>

%

自己校正後

たんらくしゅつりょくでんりゅう

±0.01~25

±0.02~50

±0.04~100

A


50№負荷時、出力電流

±0.005~12.5

±0.01~25

±0.02~50

A


50№負荷時、ピーク電力

≥7.813

≥31.25

≥125

キロワット


自己帯TLP立ち上がり時間

≤0.2

≤0.2

≤0.3

ns

ES 620-25は60 psに達することができる

その他の立ち上がりエッジ時間オプション

0.06~50

ns

モデルについては、表2をご覧ください

自己帯域TLPパルス幅

100±1

ns

カスタマイズ

その他のパルス幅オプション

1~3200

5~1000

5~1000

ns

モデルについては、表3をご覧ください

テストインターバル時間

一般的には0.2 ~ 2

s

オシロスコープ、SMU、および規定に関連する

サイズ

347X300X145

mm


重量

5

6

8

キログラム


I&V直接測定

I&V直接測定プローブA 6213-T 1(CT-2電流プローブと1 KT型電圧プローブ)


はいごうしきオシロスコープ

Tektronix、Agilent、LeCroy、Rigolのほとんどのモデル

他のモデルはお客様のニーズに合わせて対応可能

割り当て可能SMU

Keithley 24 xx/26 xxシリーズSMU

他のモデルはお客様のニーズに合わせて対応可能

ES 620-HMM 1拡張の人体金属モデルモジュール(DUTは短絡、100№HMM、ANSI/ESD SP 5.6-2009規格に基づく)

パラメータ

ES620-25型

ES620-50型

ES620-100型

単位

備考

HMMピーク電流

22.5

45

90

A


キロボルト当たり3.75 A≦±10%

IEC 61000-4-2(R=330)Ω,C=150pF)

30 ns時のHMM電流

12

24

48

A

≦±10%(IECの±30%より優れている)

60 ns時のHMM電流

6

12

24

A

≦±10%(IECの±30%より優れている)

ES 620-HBM 1拡張マネキンモジュール(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014 R=1.5 k№、C=100pF)

TLP传输线脉冲测试系统

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